x فروشگاه لیون کامپیوتر
سبد خرید
دستیابی شرکت Toshiba به دو نوع حافظه NAND جدید
تاریخ ارسال خبر : ۲۱ مرداد ماه ۱۳۹۴        تعداد مشاهده : ۲۲۶
0 - 0
به اشتراک گذاری در فیس فوک به اشتراک گذاری در توییتر به اشتراک گذاری در استامبل‌آپون به اشتراک گذاری در دلیشز به اشتراک گذاری در گوگل پلاس

دستیابی شرکت Toshiba به دو نوع حافظه NAND جدید

ms5lzn75o2t8xti17k.jpg

 

 

بخش اول:

 

شرکت Toshiba امروز اعلام کرد که به نسل جدیدی از BiCS FLASH دست یافته، یک نوع فلش مموری سه بعدی با ساختری از سلول های انباشته شده. این فلش مموری، از اولین فلش مموری هایی با سرعت 256 Gigabite یا 32 Gigabyte و 48 لایه ذره مقیاس پذیر (BiCS یا bit cost scalable) و به همراه تکنولوژی TCL یا سلول سطح سوم (TCL یا Triple cell level) می باشد. نمونه هایی از این مموری در ماه September به شرکت های محدودی ارسال می شود.
 
BiCS FLASH بر پایه 48 لایه تشکیل شده و شامل دو مموری NAND می باشد که این نوع چینش، باعث افزایش سرعت خواندن، نوشتن و پاک کردن می شود. از BiCS FLASH در برنامه ها، درایو های حالت جامد (SSD) ، اسمارت فون ها، تبلت ها ، کارت های حافظه و درایو های حالت جامد مخصوص مصارف صنعتی استفاده خواهد شد.
 
از زمان ساخت اولین نمونه BiCS FLASH توسط شرکت Toshiba حدود 8 سال می گذرد (ماه June سال 2007 میلادی) و تا الان، این شرکت به توسعه ی خود در این زمینه ادامه داده است. گفته شده این حافظه ها در نیمه ی اول سال 2016 عرضه و برای اولین بار در درایوهای حالت جامد استفاده خواهند شد.

 

 

بخش دوم:

 

fl8nvorud9t30e5n2s.jpg

 

 

شرکت Toshiba همچنین از اولین فلش مموری NAND جهان با شانزده قالب انباشته شده که در آن از سیلیکون نیز استفاده شده، (بوسیله تکنولوژی TSV) رونمایی کرد. در حال حاظر ظرفیت مموری NAND FLASH، شانزده قالب است که این مقدار نیز بوسیله شرکت Toshiba بدست آمد. اولین نمونه از این نوع مموری NAND FLASH در تاریخ 11 تا 13 ماه August و طی مراسم Flash Memory Summit 2015 به نمایش در خواهد آمد.

 

در مموری های انباشته شده NAND نسل قبل ، فلش مموری ها بوسیله اتصال سیم به یکدیگر متصل می شدند. اما حالا به کمک تکنولوژی TSV یا Through Silicon Via ، الکترود های نازک عمودی در قالب های سیلیکونی  برای برقراری اتصال فلش مموری ها قرار می گیرند که به سبب آن ، سرعت تبادل اطلاعات افزایش چشم گیری می یابند و میزان مصرف برق نیز کم می شود.

 

 

i42ew0uiwxp5tah63gz2.jpg

 

 

تکنولوژی انحصاری TSV شرکت Toshiba می تواند سرعت تبادل وردوی/خروجی اطلاعات را تا سقف یک گیگابیت بر ثانیه برساند، سرعتی که هیچ یک از حافظه های NAND کنونی ندارند. انرژی مورد نیاز برای مدار هسته ، حدود 1.8V ، مدار ورودی/خروجی (I/O) برابر 1.2V و تقریبا 50% کاهش انرژی در عملیات نوشتاری ، عملیات خواندنی و تبادل اطلاعات ورودی/خروجی، است. این حافظه بسیار مناسب SSD ها یا همان درایوهای حالت جامد می باشد.

 

 

1vle0j6d4nqo53tnu9bj.jpg

 

 

 

منبع: techpowerup

مترجم: مجتبی حیدرزاده

 

برای بحث و تبادل نظر در مورد این موضوع اینجا کلیک کنید 

 

کلمات کلیدی : اخبار و مقالات سخت افزار ، اخبار و مقالات نوت بوک و تبلت ، اخبار و مقالات کامپیوتر ، دیسک جامد ،  SSD ، توشیبا ، Toshiba ، اخبار و مقالات سخت افزار و نرم افزار روز دنیا ، سایت خبری سخت افزار



صفحه مناسب چاپ
دیدگاه کاربران در مورد این خبر
برای ثبت دیدگاه باید عضو شوید
پیشنهاد لیون کامپیوتر
ASUS N552VW i7/16/1TB+128SSD/4GB/Touch Laptop ASUS N552VW i7/16/1TB+128SSD/4GB/Touch Laptop
    دارای گارانتی
۴,۵۳۰,۰۰۰ تومان
Gskill Trident Z 16GB 8GBx2 3200Mhz CL16 DDR4 Gskill Trident Z 16GB 8GBx2 3200Mhz CL16 DDR4
    دارای گارانتی
۶۶۹,۰۰۰ تومان
Green RGB Lightning Kit Green RGB Lightning Kit
    دارای گارانتی
۷۳,۰۰۰ تومان
دو فن RGB
یک نوار RGB
ترمینال و کنترل از راه دور
GIGABYTE X99-Designare EX LGA2011-3 X99 Mainboard GIGABYTE X99-Designare EX LGA2011-3 X99 Mainboard
    دارای گارانتی
۱,۶۰۰,۰۰۰ تومان
LGA2011-3 X99
DDR4 3600
CrossFire & SLI
گروه محصولات
آخرین تغییرات قیمت